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成熟製程能力、成熟設備、成熟產線 廣受市場認可,客戶滿意度高 低衰減製程能力 下載資料 0,4-1,1 < Ωcm> 電阻率≤8E + 17 < at/cm³> www91 - 氧含量≥50 <µs> 少子壽命≤ 5E + 16 < at/ cm³> 碳含量 下載資料 1视频网站在线观看 -

材料性能

項目 規格 檢測方法 生長方式 CZ --結晶性 單晶 擇優化學腐蝕法導電類型 P型 P/N型測試儀尺寸 M6:166mm*223mm M10:182mm*247mm 矽片自動檢測設備厚度 165 ﹢20/﹣10 µm 160 ﹢20/﹣10 µm 155 ﹢20/﹣10 µm 150 ﹢10/﹣10 µm 矽片自動檢測設備 項目: 生長方式 規格: CZ 檢測方法: --項目: 結晶性 規格: 單晶 檢測方法: 擇優化學腐蝕法項目: 導電類型 規格: P型 檢測方法: P/N型測試儀項目: 尺寸 規格: M6:166mm*223mm M10:182mm*247mm 檢測方法: 矽片自動檢測設備項目: 厚度 規格: 165 ﹢20/﹣10 µm 160 ﹢20/﹣10 µm 155 ﹢20/﹣10 µm 150 ﹢10/﹣10 µm 檢測方法: 矽片自動檢測設備

電性能

項目 規格 檢測方法 電阻率 0,4-1,1 ohm 91视频网站在线观看,cm 矽片自動檢測設備少子壽命 ≥50us Sinton BCT-400 QSSPC准穩態光電導衰減法 Transient瞬態光電導衰減法 (with injection level: 1E15 cm-3)氧含量 ≤8E + 17 at/cm³ 傅裡葉變換紅外光譜儀 碳含量 ≤ 5E + 16 at/cm³ 傅立葉變換紅外光譜儀 項目: 電阻率 規格: 0,4-1,1 ohm,cm 檢測方法: 矽片自動檢測設備項目: 少子壽命 規格: ≥50us 檢測方法: Sinton BCT-400 QSSPC准穩態光電導衰減法 Transient瞬態光電導衰減法 (with injection level: 1E15 cm-3)項目: 氧含量 規格: ≤8E + 17 at/cm³ 檢測方法: 傅裡葉變換紅外光譜儀 項目: 碳含量 規格: ≤ 5E + 16 at/cm³ 檢測方法: 傅立葉變換紅外光譜儀

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